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协鑫集成干法黑硅PERC电池量产平均效率达20.6%
责任编辑：马琪
作者：陈兆毓译
2017/6/15 10:37:10
浏览：2226
技术
协鑫集成科技股份有限公司（GCL-SI）近期宣布，通过采用反应离子蚀刻技术（RIE），其自主研发的PERC电池在大批量生产中，平均光电转换效率已提升至20.1%，实验室中最高测试效率达到20.6%。这是多晶硅电池效率提高道路上的重大突破。
众所周知，黑硅拥有诸多特性。例如，对于光伏应用而言，某些种类的光子具有极低的反射率和较弱的吸收率。同时，将金刚线多晶引入批量生产的主要障碍是难以用典型的工业酸性变形方法进行纹理化。而纳米结构黑硅则可以有效地解决这个问题。在这方面，协鑫多晶硅率先整合了现有的三种工艺：添加剂直接纹理化，金属辅助化学蚀刻（MACE）和反应离子蚀刻（RIE），从而在大规模制造中实现成本降低和效率增益。
协鑫电池研发团队总监张淳博士介绍说：“我们现在有效解决了多晶硅PERC电池的衰减和功率损耗问题，通过适当的再生退火处理，可以额外达到高达0.15%的绝对效率增益。此外，LID衰减结果显示，经过合理处理的电池在降解方面也有显著改善，相对效率损失能控制在1%内。”协鑫多晶硅的进步来自于其对太阳能电池创新的巨大投资。凭借其在光伏技术方面的专业性，他们建立了专门的黑硅研发团队，致力于探索以最小化成本，最大限度地开发利用黑硅的潜能。
此项目已于2月份开展，继效率突破20.1%后，协鑫还将继续努力，提高PERC电池效率并应用于量化生产。张淳博士说：“协鑫将会进一步推进，在2017年其PERC电池实现20.5%的平均发电效率，实验室最大效率达到20.8%--21%。”
协鑫将取得更多技术突破，以更低的成本为市场提供最高质量、最高效率的太阳能电池和设备。协鑫多晶硅海外业务总裁表示：“凭借更先进的技术，我们希望使太阳能更有效率，并将其带入世界各地的更多市场。”
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