在光伏硬件产品开发项目上支出超过2.5亿美元后，商业屋顶分布式项目的缓解之力来得太迟，2017年初，美国太阳能利用技术研发领先企业Beamreach Solar公司资不抵债，最终还是宣告破产。这家拥有超过130项光伏技术专利的公司，其债权人希望有中国公司来接盘。据悉，一周后的9月15日为提交收购方案的截止日期。

这家创始于2008年，并于2016年由Solexel更名为Beamreach的创业公司也曾经历过辉煌时刻。2008年，Beamreach（当年的Solexel）获得了美国能源部300万美元的项目资助；2012年它们首次公开其薄膜技术；2014年其背接触电池在NREL认证的转换效率达到21.2%；2015年从Opus银行获得2500万美元的高级债务融资……当年Beamreach还是一个薄晶硅及高转换效率领域的玩家时开发、制造了众多创新光伏产品，它甚至可以和SunPower,SolarCity,Suniva,Panasonic等竞争。

只是，商业市场是残酷的，它不会随时任玩家决定游戏何时开始。9年的资产运作最终还是要面对债务到期，Beamreach现金流发生“灾难性”的断裂。

2017年初，该公司进入破产清算程序，而其拥有的土地、厂房及大量与光伏应用相关的专利一并进入破产程序。截至破产前，Beamreach Solar 的产品及技术包括:薄的硅晶圆板;新一代的背接组件技术，包括高电压、高效率的组件;太阳能电池板技术和制造过程，包括“智能”板载 模块电子器件;轻型的、快速安装的集成太阳能电池板和用于低坡屋顶的支架系统(主要用于商业和工业设施)等。该公司在全球范围内开发了超过 345 个专利资产，以保护他们的产品和技术创新，其中包括四个大型的专利资产:

1、EPI / 多孔硅晶片技术；

2、交叉式背接触(IBC)组件技术；

3、灵活的，可定制的，高电压的“智能型”组件技术；

4、Sprint——轻量级、快速安装的支架系统。

目前，Beamreach Solar欲出售其专利资产。整个资产组合包括覆盖 US、AU、CN、EP、DE、DK、FR、GB、NL、JP、KR 和 MY 的逾 130 项专利，以及将积极进行的数百项申请中专利，均计划清算变卖。

光伏們整理了部分专利，其全部专利列表见文末。

US 9,379,258  背接触背结(IBC)太阳能电池的制造方法

背接触背结(IBC)太阳能电池的制造方法。 在太阳能电池基板的背面上沉积基极掺杂剂源，场致发射掺杂源和发射极掺杂源。对太阳能电池基板进行退火，形成对应于发射极掺杂源的发射极接触区域，对应于场发射极掺杂剂的场发射极区域和对应于基极掺杂剂源的基极接触区域。 蚀刻基底掺杂剂源，场发射体掺杂剂源和发射极掺杂剂源。背钝化层沉积在太阳能电池的背面上。 发射极接触区域和基极接触区域通过背钝化层进行接触。 图案化的基底金属化和图案化的发射体金属化在与基极接触区域和发射极接触区域建立了电力连接的太阳能电池的背面上形成。

US 7,999,174 太阳能组件结构和三维薄膜太阳能电池组装方法

太阳能组件210和270包括排列在太阳能组件结构210和270中的三维薄膜太阳能电池110。三维薄膜太阳能电池包括具有发射极结区域1352和掺杂的基极区域1360的三维薄膜太阳能电池基底（分别为124和122），还包括发射极金属化区域和基底金属化区域。3-D TFSC衬底包括多个单孔或双孔单元电池。使用由多个双孔单元电池的三维薄膜太阳能电池基底构成的三维薄膜太阳能电池的太阳能组件结构270可以应用于太阳能玻璃中，而使用由多个单孔单元电池的三维薄膜太阳能电池基底构成的三维薄膜太阳能电池的太阳能组件结构210可以应用于建筑立面和屋顶安装以及集中式太阳能发电中。

总之，所公开的主题提供了用于组装太阳能组件的太阳能模块结构和方法。太阳能模块结构包括布置在太阳能模块结构中的三维单孔和双孔薄膜太阳能电池。三维薄膜太阳能电池包括具有自对准选择性发射极区域和自对准基极扩散区域的半导体衬底。使用三维双孔径薄膜太阳能电池的太阳能模块结构可用于太阳能玻璃。使用三维单孔径薄膜太阳能电池的太阳能模块结构可用于建筑和屋顶应用。

CN ZL200780045520.2 金字塔状三维薄膜太阳能电池

本发明公开了一种金字塔状三维薄膜太阳能电池，由金字塔状三维薄膜太阳能电池基板、发射结区和掺杂基区、发射极金属化区域和基底金属化区域构成，其中，所述金字塔状三维薄膜太阳能电池基板包括多个金字塔形单元电池。该金字塔状三维薄膜太阳能电池可安装在背侧镜上，以提高光捕获能力和转换效率。

US 7,786,376 高效太阳能电池及制造方法

本发明公开了肖特基接触光伏能量转换电池。肖特基接触光伏电池由柔性基底和连接到第一电单元触点的多个紧密间隔的微米柱的第一阵列构成，其柱和接触点由具有选择用于有效收集光生电子的功函数的第一肖特基金属材料层形成。肖特基接触光伏电池还包括连接到第二电池触点的多个紧密间隔的微小柱的第二阵列，其柱和接触点由具有选择用于有效收集光生孔的功函数的第二肖特基金属材料层形成。此外，肖特基接触光伏电池还包括覆盖所有第一和第二触点的半导体吸收体薄膜层和所有支柱之间的填充空间，用于产生光生电子和空穴。

US 8,926,803 多孔硅电蚀刻系统及方法

本发明的目的之一是为大量生产光伏（PV）太阳能电池器件的厂商提供高生产率、低成本的制造设备。另外，与现有技术相比，通过使用气相源硅可减少材料加工步骤和材料成本。该专利使用多孔硅作为牺牲层，不仅公开了兼容气相衬底生长工艺的牺牲衬底基底层的制造方法，还提供了制造牺牲层多孔硅光伏电池-基板基底层的设备。

US 8,962,380 高效光伏背接触太阳能电池结构（IBC）及使用薄平面半导体吸收体的制造方法

本发明提供了背面接触式太阳能电池（IBC）及其制造方法。IBC电池由具有可捕获光的前表面和钝化层的衬底、掺杂的基极区域、与掺杂的基极区域极性相反的掺杂的背表面发射极区域构成。发射极上的背面钝化层和图案化的反射层形成一个背面镜像陷光结构。交叉的金属化图案位于太阳能电池的背面，并且为电池提供支撑。

US 8,656,860 高效外延化学气相沉积（CVD）反应器

本发明公开了一种化学气相沉积反应器，其具有改善的化合物利用率和成本效益。本公开的晶片基座可以以堆叠结构用于同时加工多个晶片。本公开的反应器可为逆流耗尽型反应器，其具有均一的膜厚度以及高的化合物利用率。

CN ZL201080030023.7 高生产率多孔半导体制造设备

本发明能够实现高生产率制造半导体基分离层(由单层或多层多孔半导体如多孔硅制成，包括单一孔隙度或多种孔隙度层)、光学反射器(由多层/多种孔隙度的多孔半导体如多孔硅制成)，形成用于抗反射涂层、钝化层的多孔半导体(如多孔硅)以及多界面、多带隙太阳能电池(例如，通过在晶体硅薄膜或晶圆基太阳能电池上形成可变带隙的多孔硅发射器)。其他应用包括用于脱模的MEMS分离层和牺牲层的制造以及MEMS装置制造、膜形成和浅沟槽隔离(STI)多孔硅(使用带有最佳孔隙度并在之后氧化形成的多孔硅)。另外，本公开可应用在光伏、MEMS(包括传感器和致动器(单独操作的或与集成半导体微电子集成的))、半导体微电子芯片和光电子的一般领域。

US 9,508,886 利用平面激光光束制作晶体硅太阳能电池的方法

一种制造晶体硅太阳能电池基板的方法。掺杂介电层沉积在晶体硅衬底的背面上，掺杂介电层具有与晶体硅衬底的极性相反的极性。晶体衬底的背面的一部分通过掺杂介电层而露出。覆盖层沉积在掺杂电介质层和晶体硅衬底的背面的暴露部分上。在硅衬底上用平顶激光束进行覆盖层的脉冲激光烧蚀，以形成嵌在晶体硅衬底的背面表面的暴露部分内的连续的基底开口，平顶激光束与高斯光束强度分布相比具有较强的光束强度分布，具有矩形束横截面。掺杂的基极区域通过连续的基极开口形成在晶体硅衬底中。

US 9,076,642 高流量多孔硅制造设备的设计和处理方法

高产率制造多孔半导体层（由单层或多层多孔半导体，例如多孔硅，包括单孔隙率或多孔层制成）。 一些应用包括制造MEMS分离和牺牲层，用于芯片分离和MEMS器件制造，膜形成和浅沟槽隔离（STI）多孔硅（使用具有最佳孔隙率的多孔硅形成及其随后的氧化）。 此外，本公开适用于光伏技术的MEMS领域，包括独立的传感器和致动器，或与集成半导体微电子，半导体微电子芯片和光电子集成。

US 9,214,585 退火对高效太阳能电池的无损伤激光加工

利用辅助加热退火激光损伤烧蚀区域的无损伤激光图案的退火。烧蚀点在底层半导体基体上或在上覆透明钝化层的脉冲激光烧蚀图案化之后退火。

US 9,130,076 单片太阳能光伏电池和组件的沟槽隔离

单片背接触背结(IBC)太阳能电池的制造方法和结构。在一个实例中，在背接触背结(IBC)太阳能电池基板的背面形成基极和发射极接触金属化。 沟槽阻挡层在背接触背结(IBC)太阳能电池基板的背面形成，并且与基底和发射极接触金属化电力隔离。沟槽阻挡层具有用于形成多个半导体区域的图案。 在基极和发射极接触金属化层和沟槽阻挡层上形成电绝缘层。 通过背接触背结(IBC)太阳能电池基板到沟槽阻挡层时形成沟槽隔离图案，其将半导体层分隔成在电绝缘层上的多个太阳能电池半导体区域。

US 8,992,746 阳极氧化装置

基体浸没在电解质溶液中的用于阳极氧化的装置。 安装在储罐中的基板保持架包括第一支撑单元，该第一支撑单元具有第一支撑元件，用于在液密状态下仅支撑基板的下周边部分;以及第二支撑单元，其可附接到第一支撑单元并可从第一支撑单元拆卸; 具有用于在液密状态下支撑基板的剩余周向部分的第二支撑元件。驱动机构在装载和卸载基板时分离第一支撑单元和第二支撑单元，并且在将基板放置在基板支架中之后连接第一支撑单元和第二支撑单元。

CN ZL201210505374.X 阳极氧化装置、具有该装置的阳极氧化系统及半导体晶片

一种阳极氧化装置，将基板浸渍在电解质溶液中来进行阳极氧化反应，具有：存积槽，其存积电解质溶液，保持部，其能够与各基板的周面以液密的状态接触并保持多个基板，移动机构，其使所述保持部在位于所述存积槽的外部的交接位置和位于所述存积槽的内部的处理位置之间移动，封闭部，其位于所述存积槽内，与所述保持部协同动作来对所述保持部所保持的多个所述基板的周面完成液密性的封闭；使保持有多个基板的所述保持部移动至所述处理位置，并且使所述封闭部动作，在使多个基板的周面处于液密的状态下进行氧化反应处理，在氧化反应处理结束之后，使所述封闭部不动作，并且使所述保持部从所述处理位置离开，以从所述存积槽搬出多个基板。

US 9680041 三维薄膜半导体基体穿孔和制造方法

一种具有选择性通孔的三维薄膜半导体基体。具有倒金字塔结构的基板包括位于半导体基板的前后侧面之间的选择性地形成的通孔，以形成半透明的三维薄膜半导体基板。

对于对先进技术感兴趣的光伏企业来说，在原始债权人陷入债务危机时期去购买相关资产具有一定价格优势，加上基于美国自由破产的大环境，对于一些中国的光伏企业而言，也许也是新的契机。

此次Beamreach Solar 出价截止时间定于2017 年 9 月 15 日下午 5 点（美国东部时间）。中伦律师事务所同 Beamreach Solar的专利资产处置机构有畅通的沟通渠道，可以协助中国投资者利用美国破产清算程序获取专利资产。

如有意向进一步了解，欢迎联系:

中伦律师事务所刘经涛律师（邮箱：liujingtao@zhonglun.com）。

该公司全部专利技术明细如下：