2015年11月6日，常熟华融太阳能新型材料有限公司（SPM）发布了全新的工艺坩埚以及高效高纯技术，这是SPM的第三代高纯坩埚。
坩埚工艺决定了硅片质量的优劣，而硅片质量也会对晶硅电池、光伏组件产生深远影响。此次SPM推出的新工艺坩埚，将力助硅片质量的提升，有助于光伏电池提升转化效率。
此次，SPM突破了传统坩埚成型工艺局限，结合注凝与注浆工艺的优点，保证产品的高产量。在保证高纯度的情况下，新工艺还能使坩埚的几何尺寸更加规整，使客户端侧壁红区稳定控制在较低值。
除此之外，新工艺的优势还体现在侧壁高纯、高效、底部降红区三个方面：
(1)在侧壁高纯方面，SPM坩埚涂层致密且牢固，合适的表面粗糙度可保高纯涂层与氮化硅涂层的紧密结合，将粘埚概率降至最低。目前高纯坩埚单边可降低红区6-16mm，半熔工艺情况下，侧壁红区约4mm，全熔工艺下，侧壁红区几乎为0，晶锭底部氧含量控制在6-8ppm，少子图谱分布均匀，由于高纯坩埚有效地削减了坩埚本体对边缘晶棒的杂质扩散，边棒少子寿命得以提升，晶锭整锭效率可提升0-0.05%；在高效方面，SPM采用细砂代替粗砂，此举在一定程度上降低了底部粘埚的风险。
（2）SPM采用机械手自动布砂代替人工布砂，这样的变化带来了两方面的直观效益，一方面机械化操作更为精准、更为高效，高效层颗粒均匀且稳定；另一方面机械手布砂也大大降低了因产量的持续上升带来的产线波动。
目前SPM已有的三种高效坩埚，分别为石英砂高效（R）、碳化硅高效（C）、硅颗粒高效（S），铸锭公司量化喷涂量并微调熔化后期温度可增加高效坩埚的匹配性。
（3）在坩埚底部制作高纯涂层的工艺点主要体现在氧含量的控制方面。一般而言，在坩埚底部制作高纯涂层后，会加大氧含量控制难度，同时底部料浆涂刷的不平整性会导致高效涂层不稳定，由此导致少子图谱错乱，尤其是会出现晶锭中下部黄区明显增多等不良后果。而SPM的新工艺已经很好地解决了底部高纯所导致的氧含量偏高问题以及少子图谱错乱异常的问题。小批量实验数据显示，新工艺能在保证氧含量与图谱正常的情况下，将底部红区降低11mm。
据悉，SPM还将持续研发推出免喷涂坩埚、G8大尺寸坩埚等各种新品，努力提升光伏产业链的效率。
目前，SPM年产能约20万，设计产能可达40万只，拥有国内领先的重要检测设备，如ICP-OES、XRD、SEM等。
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